Компания "Кондор"
Комплексные поставки химии для промышленных предприятий
Меню
Каталог:

Полупроводниковые пластины

 

Полупроводниковые пластины — основа для производства полупроводниковых приборов. От чистоты и бездефектности данного полупроводниковых пластин зависят качество последующих операций и функциональные возможности конечного изделия. Также диаметр пластин во многом определяет стоимость конечных изделий. Современные массовые производства переходят на диаметр 400мм для монокристаллического кремния и 200мм для арсенида галлия.

 

Современные интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы – это чрезвычайно сложные устройства, размеры отдельных компонентов которых составляют не более доли микрометра. Создание таких устройств осуществляется на монокристаллических полупроводниковых пластинах с применением фотолитографии, осаждения, травления, ионной имплантации и проч.

 

Полупроводниковые пластины предназначены для формирования изделий микроэлектроники и имеют совершенную атомную структуру и высокую геометрическую точность. Для того, чтобы обеспечить эти качества, была разработана специальная технология химической, механической и химико-механической обработки монокристаллических материалов, а также создано уникальное прецизионное оборудование, которое не имеет аналогов в других отраслях народного хозяйства. Для обработки полупроводниковых пластин необходима высокая квалификация операторов и обязательное соблюдение технологической дисциплины, а также тщательное поддержание чистоты используемых материалов и вакуумная гигиена в производственных помещениях.

 

После создания необходимой полупроводниковой структуры пластину разрезают на отдельные кристаллы (чипы) методами лазерного или алмазного скрайбирования.

 

Кремниевые пластины WaferWorld (Si)

Монокристаллический кремний — основа для производства полупроводниковых приборов. От чистоты и бездефектности данного материала зависят качество последующих операций и функциональные возможности конечного изделия.

 

WaferWorld пластины арсенид галлиевые (GaAs)

Арсенид галлия (GaAs), являясь важнейшим полупроводником группы AIIIBV, находит широкое применение в производстве полупроводниковых приборов. Данный материал обладает определёнными преимуществами по сравнению с кремнием. Он имеет большую подвижность и скорость насыщения для электронов, что позволяет создавать транзисторы с частотами свыше 250 Ггц. В отличие от кремниевых p-n переходов, приборы на основе арсенида галлия менее восприимчивы к изменению температуры.

Метод изготовления:

  • Метод Чохральского (CZ) — метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава с инициацией начала кристаллизации путём приведения затравочного кристалла (или нескольких кристаллов) заданной структуры и кристаллографической ориентации в контакт со свободной поверхностью расплава.
  • Метод Зонной плавки (FZ) — кристаллофизический метод рафинирования материала, который состоит в перемещении узкой расплавленной зоны вдоль длинного твёрдого стержня. Благодаря этому способу кремний очищается от примесей гораздо лучше, по сравнению с методом Чохральского, и соответствует высочайшим техническим требованиям.

 

 

 

По вопросам приобретения полупроводниковых пластин и получения подробной консультации по свойствам продукции, условиям поставки и заключению договора просим вас обратиться к менеджерам:

 

(495)-790-14-52
8-915-218-57-47